瑞薩電子將投資900億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能
日本MCU制造商瑞薩電子17日發(fā)布公告稱,將投資900億日元用于甲府工廠,以生產(chǎn)300毫米晶圓功率半導(dǎo)體,預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。
瑞薩電子指出,為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),預(yù)計(jì)全球?qū)μ峁┖涂刂齐娏Φ母咝Чβ拾雽?dǎo)體的需求將增加。特別是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的需求將迅速擴(kuò)大,瑞薩將通過(guò)提高 IGBT等功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力,為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。隨著甲府工廠開(kāi)始全面量產(chǎn),瑞薩功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將翻倍。
據(jù)了解,甲府工廠旗下?lián)碛?50mm和200mm晶圓生產(chǎn)線。此次瑞薩電子決定有效利用甲府工廠的現(xiàn)有建筑,啟動(dòng)300 mm晶圓生產(chǎn)線以提高功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
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