年產值可達12億元!徐州燦科半導體功率器件項目再添氮化鎵共封裝器件產線
來源:集微網
據徐州日報報道,近日,燦科半導體功率器件項目將增加一條氮化鎵共封裝器件生產線,項目建成量產后,可年產氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片,年產值可達到12億元。
據悉,2020年11月燦科半導體功率器件項目簽約落地,由廣東致能科技有限公司投資建設,總投資5.5億元。項目位于徐州高新區(qū)電子信息產業(yè)園,2021年1月開工建設,3月潔凈廠房建成并投入使用,目前已開始試生產。
據項目負責人、徐州致能半導體有限公司總經理黎子蘭介紹,新上線的氮化鎵共封裝器件生產線,可將氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起,形成氮化鎵芯片共封裝器件,能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題,發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢,助推企業(yè)在電子信息產業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌鲂滤{海。
(聲明:本文版權歸原作者所有,轉發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:wang@cgbtek.com)
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權所有 京ICP備09080401號