預測:臺半導體生產設備支出將位居全球之首 據報道,根據國際半導體設備與材料組織13日發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預測報告》,臺灣地區(qū)今年在全球半導體生產設備上的支出預計將位居全球...
比亞迪投資碳化硅外延片制造商天域半導體,后者股東含華為企查查APP顯示,6月13日,東莞市天域半導體科技有限公司發(fā)生工商變更,新增股東比亞迪,同時公司注冊資本由9770.46萬元人民幣增加至1億元人民幣,增幅2.5...
前5個月江蘇省集成電路出口1083.9億元,同比增長23.7%南京海關統(tǒng)計,2022年前5個月江蘇省外貿進出口總值2.13萬億元,同比(下同)增長8.5%,較全國整體增速高0.2個百分點,占全國進出口總值的13.3%。其中,出口1....
貴陽達沃斯光電產業(yè)基地投產,總投資約1.2億元設6條生產線達沃斯光電產業(yè)基地投產儀式舉行。貴陽日報報道,該基地由貴州達沃斯光電有限公司投資建設,總投資約1.2億元,主要建設月產能500K的中大尺寸蓋板線、月產...
國家統(tǒng)計局:5 月集成電路產量為 275 億塊,同比下降 10.4% IT之家 6 月 15 日消息,國家統(tǒng)計局數(shù)據顯示,2022 年 5 月份規(guī)模以上工業(yè)增加值同比實際增長 0.7%(以下增加值增速均為扣除價格因素的實際增長率...
超高壓碳化硅 N 溝道 IGBT 器件的設計與制造碳化硅(SiC)材料作為第三代半導體材料的代表之一,其禁帶寬度達到 3.26 eV,是硅(Si)材料的 3 倍,臨界擊穿電場強度是 Si 材料的 10 倍,熱導率接近 Si材料的 3 倍...
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