IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實現(xiàn)電氣互連的...
碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是制備大功率電力電子器件以...
半導體設(shè)備是產(chǎn)業(yè)發(fā)展和創(chuàng)新的基石，一代設(shè)備、一代工藝、一代產(chǎn)品。一條半導體生產(chǎn)線設(shè)備總投資約占總投資的70%至80%。半導體設(shè)備對信息產(chǎn)業(yè)有著成千上萬倍的放大作用。半導體設(shè)備年產(chǎn)值幾百億美金，支撐的是年...
今天我們要聊聊芯片制造中的一個重要環(huán)節(jié)——清洗。你可能會想，芯片不是在無塵室里做的嗎？怎么還會有污染呢？其實，芯片制造過程中需要用到各種化學物質(zhì)和機械操作，這些都會在晶圓表面留下雜質(zhì)。 ...
半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著下游應(yīng)用場景提出更高要求，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。SiC性能碳化硅SiC具有200多種晶型，以其...
摘要碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場強高、熱導率高、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)異特 性，是制備高性能功率器件等半導體器件的理想材料。得益于工藝簡單、操作便捷、設(shè)備要求低等優(yōu)點，濕法...
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