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       為滿足市場對5G智能手機存儲提出的新需求，8月5日，西部數(shù)據(jù)舉辦媒體發(fā)布會，宣布推出其用于5G智能手機的第二代UFS 3.1存儲解決方案——西部數(shù)據(jù)iNANDTM MC EU551嵌入式閃存器件。這款新產品可提供超高分辨率相機、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實、游戲和8K視頻等新興應用所需的高性能存儲。

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，圖片來源：西部數(shù)據(jù)

產品性能顯著提升

       據(jù)介紹，這款iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是西部數(shù)據(jù)公司在北京時間5月27日的閃存大會上推出的UFS3.1的平臺基礎上的全新產品。iNAND MC EU551嵌入式閃存器件采用更高性能的NAND、更高效的控制器和優(yōu)化的固件設計。

       相比西部數(shù)據(jù)上一代UFS3.1產品，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產品性能顯著提升：隨機讀取性能提升約100%，隨機寫入性能提升約40%，有助于支持混合工作負載體驗，例如同時運行多個應用；順序寫入性能提升約90%，有助于達到新的5G和Wi-Fi 6的下載速度；順序讀取性能提升約30%4，通過縮短啟動時間以更快啟動應用，實現(xiàn)更快的上傳速度。

       西部數(shù)據(jù)表示，該產品旨在滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，并采用基于西部數(shù)據(jù)第七代SmartSLC^TM的領先的Write Booster技術。產品還支持Host Performance Booster 2.0版本，進一步融合了JEDEC標準的全新進展。

       此外，iNAND MC EU551順應手機客戶對封裝的要求，采用VBGA 11.5×13.0mm封裝，擁有雙電壓、熱保護、寫入加速器以及HBP2.0（主機性能加速器）等加持，工作溫度范圍覆蓋-25℃-85℃，同時強化了健康報告功能，幫助客戶及時排除設備問題及管理存儲器磨損等情況。

       容量方面，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件覆蓋了目前智能手機最主流的128G、256GB，同時最高容量達512GB，兼顧了未來容量進一步擴大的發(fā)展趨勢。

       西部數(shù)據(jù)公司產品市場部高級產品市場經(jīng)理宋學紅表示，雖然市面上已出現(xiàn)ITB容量產品，但是1TB容量在手機市場上占比仍非常小，目前最主流的仍是128GB、256GB。至于1TB什么時候成為主流，他認為可能還需要一點時間。

智能手機率先搭載量產

       “智能手機已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分。隨著高速5G網(wǎng)絡、創(chuàng)新傳感器和人工智能的應用普及，我們對手機的平均容量和處理多媒體應用的高性能需求都在不斷增長?！蔽鞑繑?shù)據(jù)公司汽車、移動和新興市場事業(yè)部高級副總裁Huibert Verhoeven發(fā)布會上說道。

       如今，手機已成為具備多傳感器的內容平臺，面臨著多樣化的工作負載，集成越來越多的多媒體應用，多媒體應用的分辨率也越來越高，5G通信也將催生更多的手機應用，都將持續(xù)要求存儲性能更高、容量更大、時延更小以及可靠性更高。

iNAND MC EU551嵌入式閃存器件作為西部數(shù)據(jù)iNAND系列產品的新成員，可為5G智能手機上數(shù)據(jù)豐富的多媒體應用提供所需的性能和容量。

       西部數(shù)據(jù)方面表示，十多年來，iNAND系列產品一直深受全球主要智能手機制造商的信任，公司持續(xù)深耕移動生態(tài)系統(tǒng)領域，與領先的SoC系統(tǒng)設計人員合作，在智能手機的參考設計中驗證其UFS 3.1解決方案，從而為制造商提供經(jīng)過測試的解決方案。

       在發(fā)布會上，西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳透露，該款新產品在研發(fā)時就開始與客戶溝通，在產品性能上與客戶做匹配，目前手機領域頭部客戶都在用，但具體不便透露，至于搭載iNAND MC EU551的手機產品何時面市則以客戶發(fā)布的時間為準。

       目前，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件（EFD）樣品現(xiàn)已開始供貨。

       文芳表示，這款新產品不僅可應用于智能手機上，還可用于更多應用領域，由于智能手機對存儲要求較高，是比較前沿的應用產品，所以率先在智能手機應用量產，接下來其他應用也將逐步跟上。

與鎧俠聯(lián)合研發(fā)投入高達180億美元

       在媒體提問環(huán)節(jié)，宋學紅指出，iNAND MC EU551這款新產品的性能提升，基于西部數(shù)據(jù)領先的閃存技術，具體得益于三個方面。

       首先是NAND方面，即NAND Array和外圍電路兩部分都做了調校和優(yōu)化，整體提升了產品的I/O性能；第三個則是采用了新一代西部數(shù)據(jù)自研Controller主控芯片，較上一代主控芯片有了較大幅度的提升，包括制程、速度以及內部RAM設計等。

       據(jù)了解，作為一家同時擁有HDD和Flash研發(fā)技術的公司，全球數(shù)據(jù)有超過40%存儲在西部數(shù)據(jù)的產品上。在技術層面，西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠（Kioxia）公司在過去10年間聯(lián)合研發(fā)的投入高達180億美元。

       今年2月，西部數(shù)據(jù)與鎧俠共同推出了第六代162層BiCS 3D NAND。相比上一代，六代162層BiCS 3D NAND每片晶圓的存儲位增加約70%，橫向密度增加約10%，芯片尺寸減少約40%，相應地每層密度提高從而大幅降低了單位比特成本。

       162層的堆棧層數(shù)并非目前業(yè)界最多，但西部數(shù)據(jù)方面認為，“存儲密度并非層數(shù)競爭”，閃存行業(yè)發(fā)展至3D時代，更多層不等同于更先進，完整的NAND等式應該是更多層疊加每層更高效率。